Site  Search
Коды маркировки SMD компонентов
15.11.2018
1 USD 67.9975 Руб +0.3163
1 EUR 76.7556 Руб +0.6819
1 GBP 88.2200 Руб +0.9586
1 AUD 48.9786 Руб +0.1737


Passive elements

AD

Высокая плотность тока, протекающего по проводникам чипа, приводит к переносу вещества в направлении электронного потока вследствие интенсивного взаимодействия электронов с кристаллической решеткой.

Этот процесс электрической миграции представляет собой самодиффузию и зависит от температуры и плотности тока. На этот процесс существенно влияют такие свойства вещества, как вид и размер гранул в полупроводнике, а также их ориентация. Неоднородный перенос вещества приводит к появлению дырок в проводнике и в конце концов к обрыву.

Причиной неодновременного переноса вещества является градиент температуры вдоль проводника вследствие нарушения при его изготовлении заданного поперечного сечения, изменения его теплообмена, зависящего от свойств подложки — оксида кремния, локальных колебаний удельного сопротивления.

Обычно проводники изготавливают из алюминия, который удовлетворяет многочисленных и противоречивым требованиям. К ним относятся хорошая электрическая и термическая проводимость, такие механические свойства, как пластичность и устойчивость к растрескиванию, способность к адгезии, хороший омический контакт с диффузной областью, совместимость с процессом изготовления полупроводников.

Устойчивость к миграции материала проводника существенно зависит от его тонкой структуры; на это свойство кроме условий изготовления, весьма большое влияние оказывают примеси других металлов. В том случае, когда в алюминии имеются примеси кремния, меди или титана, его устойчивость к миграции повышается. Кроме того, повышение устойчивости к миграции добиваются путем уменьшения размеров при одновременном повышении степени интеграции схемы.

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *