Обособленной группой неисправностей являются случайные неисправности схемы. Они обусловлены дефектами в материалах, например дефектами кристалла кремния, или дефектами, обусловленными захватом частиц при проведении операций нанесения слоев диэлектрика, фотолитографии и структуризации.

При суммарном рассмотрении такого рода квазислучайных локальных дефектов имеет место для каждой пластины с ИС некоторая плотность дефектов, характерная для заданного состояния техники. К локальным дефектам также относятся несистематические дефекты монтажа и множество локальных случайных дефектов в готовых схемах.

Очевидно, вид и положение локального дефекта определяет характер его воздействия на работоспособность схемы. При нарушении функции схемы или выходе ее характеристик за допустимые границы они выявляются путем измерений. Если же дефект вызывает лишь неисправность схемы, то чаще всего он не выявляется с помощью электрических измерений.

Неисправности представляют собой потенциально возможный отказ, появление которого зависит от нагрузок, воздействующих на схему при эксплуатации. Наряду с этим часть дефектов является некритичной к нагрузке и поэтому относятся к разряду косметических.

При не диффузионном процессе частота случайно распределенных дефектов, приводящих к недопустимым отклонением параметров, определяет эффективность ИС. В принципе необходимо предположить наличие зависимости между выявляемой при измерениях долей дефектных схем и процентном браке конечной продукции.

Правда, с другой стороны, доля схем, допущенных к эксплуатации с неисправностями, зависит от вида и расположение дефектов.

Неисправности ИС в эксплуатационных условиях приводят в основном к локальным перегрузкам, которые чаще всего вызывают быстрый отказ схемы. Поэтому они являются основной причиной высокой интенсивности отказов ИС на этапе приработки.

По сравнению с простыми элементами у ИС доля отказов на этапе приработки, обусловленная нарушениями, часто является очень большой.

Вместе с тем попытки снизить вероятность появления отказов, обусловленных неисправностями, за счет технических мер, таких как селекция потенциально ненадежных схем, встречают определенные трудности.

Предварительные оценки показывают, что доля ИС, имеющих неисправности, составляет около 1%. При такой малой доле неисправностей в общем многообразии видов дефектов часто метод селекции не дает ожидаемых результатов. В связи с этим определенное преимущество имеют меры, мало зависящие от специфики дефектов. К ним относятся: оптический контроль пластины и схемы перед монтажем; электрическое включение схемы при усиленной нагрузке, например граничном значении нагрузки.

Высокая плотность тока, протекающего по проводникам чипа, приводит к переносу вещества в направлении электронного потока вследствие интенсивного взаимодействия электронов с кристаллической решеткой.

Этот процесс электрической миграции представляет собой самодиффузию и зависит от температуры и плотности тока. На этот процесс существенно влияют такие свойства вещества, как вид и размер гранул в полупроводнике, а также их ориентация. Неоднородный перенос вещества приводит к появлению дырок в проводнике и в конце концов к обрыву.

Причиной неодновременного переноса вещества является градиент температуры вдоль проводника вследствие нарушения при его изготовлении заданного поперечного сечения, изменения его теплообмена, зависящего от свойств подложки — оксида кремния, локальных колебаний удельного сопротивления.

Обычно проводники изготавливают из алюминия, который удовлетворяет многочисленных и противоречивым требованиям. К ним относятся хорошая электрическая и термическая проводимость, такие механические свойства, как пластичность и устойчивость к растрескиванию, способность к адгезии, хороший омический контакт с диффузной областью, совместимость с процессом изготовления полупроводников.

Устойчивость к миграции материала проводника существенно зависит от его тонкой структуры; на это свойство кроме условий изготовления, весьма большое влияние оказывают примеси других металлов. В том случае, когда в алюминии имеются примеси кремния, меди или титана, его устойчивость к миграции повышается. Кроме того, повышение устойчивости к миграции добиваются путем уменьшения размеров при одновременном повышении степени интеграции схемы.

Если в чистый расплавленный германий или кремний ввести в небольшом количестве примесь атомов элементов III группы таблицы Менделеева, например Al, то после отвердевания атомы Al войдут в состав кристалла, заняв некоторые узлы кристаллической решетки. Атомы Al образуют в кристалле общие электронные пары с четырьмя соседними атомами Ge.

Так как у атома Al во внешней электронной оболочке только три электрона, то ему не хватит одного общего электрона для образования устойчивой оболочки из восьми электронов. Атом Al может захватить недостающий электрон у одного из соседних атомов Ge. Тогда он зарядится отрицательно, а где — то в другом месте образуется подвижная дырка.

Кристалл, конечно останется энергонейтральным, но находящиеся в нем отрицательно заряженные атомы Al связаны с решеткой (локализованы), тогда как положительно заряженные дырки могут участвовать в электрическом токе. Проводимость такого кристалла будет в основном дырочной, так как число возникающих в кристалле дырок при введении даже очень небольшого количества примеси значительно больше, чем число пар электрон — дырка в беспримесном полупроводнике.

Если в полупроводнике имеется примесь элементов III группы таблицы Менделеева, атомы которой захватывают электроны, то такую примесь называют примесью p — типа (положительный) или акцепторной (принимающей) примесью, а кристалл называется полупроводником p — типа.

Основную роль в электропроводности полупроводника p — типа играют дырки — основные носители подвижных зарядов.

При введении в решетку германия атомов пятой группы таблицы Менделеева, например мышьяка, четыре электрона, из пяти имеющихся на внешней оболочке атома примеси, идут на образование общих электронных пар с четырьмя соседними атомами Ge, и у каждого атома, в том числе и у атома As, благодаря общим электронам внешняя электронная оболочка достраивается до устойчивой.

Пятый внешний электрон атома As оказывается лишним. Он гораздо слабее связан с ядром, чем другие электроны, и достаточно очень небольшой затраты энергии, чтобы оторвать его от атома As и сделать его свободным. Атом As при этом зарядится положительно.

Таким образом, при введении в решетку кристалла германия атомов пятой группы образуются положительно заряженные ионы примеси в узлах решетки и подвижные электроны. Проводимость такого полупроводника будет в основном электронной. Кристалл в этом случае называют кристаллом n — типа (отрицательный), а примесь называют донорной примесью.

Монтаж SMD компонентов

Прежде всего необходимо отметить, чем же отличается монтаж SMD- элементов от обычного монтажа? В домашних условиях практически ничем. На производстве используются конвекционные печи. Здесь речь пойдет о монтаже SMD- элементов в домашних условиях, обычным паяльником. (паяльная станция с регулируемой температурой жала)
Для монтажа используется тот же припой, что и при монтаже обычных элементов, тот же спиртово-канифольный флюс. Различие имеет только диаметр жала паяльника, если при обычном монтаже используется диаметр жала 3-5 мм то при монтаже SMD используется жало от 2 мм и меньше, во избежание перегрева элемента.

Инструмент используется хорошо подготовленный, имеющий антимагнитные свойства, обязательный атрибут- увеличительное стекло, с подсветкой, а так же магнитный монтажный столик, хорошее освещение и конечно чистота рабочего места.

Следующий этап: подготовка платы к монтажу. На контактных площадках не должно быть капель припоя, площадки должны быть идеально ровными. Если все же капли есть, снимаем припой деревянным шпательком, можно сделать из зубочистки. Дальше, нанесение флюса на места установки элементов.

Перед монтажом нужно продумать последовательность монтажа, начинать следует с самых труднодоступных мест. После нанесения флюса на контактные площадки необходимо дать ему немного «подвянуть». После этого можно приступить к установке элементов, если плата большая, делаем в несколько этапов.

Устанавливать элементы на подсохший немного флюс, нужно для того чтобы элементы не сползали, после этого можно приступить к пайке. Аккуратно, несильно прижимаем элемент, пинцетом или деревянным шпательком, к плате и припаиваем все подготовленные элементы с одной стороны, разворачиваем плату на 180 градусов и припаиваем вторую сторону. Этим способом хорошо паять резисторы, диоды, стабилитроны, конденсаторы и другие маловыводные элементы.

При монтаже микросхем, с большим количеством выводов, необходима тщательная установка выводов на площадки. После правильной установки с соблюдением всех мер предосторожности припаиваются крайние выводы, по углам, а потом паяем все остальные. Внимание!!! Припоя на жале, при пайке микросхем, должно быть минимальное необходимое количество, при большом количестве, залип между выводами обеспечен. При малом шаге выводов 0.1мм используем увеличительное стекло.
Завершающий этап монтажа, промывка платы. Промываем плату в спирто-бензине, можно использовать ацетон (аккуратно! разъедает компаунд). Для сушки платы можно использовать фен.

Маркировка smd резисторов

SMD резисторы принято маркировать цифровым кодом. Принципы считывания кодов во многом схожи с цветовой маркировкой. Резисторы с допусками 5, 10, 20 % маркируют трехзначным кодом, а с допуском 1 % — четырехзначным.
Запомнив несколько цифр и правил, легко сориентироваться при считывании значения.
Для трехзначной маркировки безвыводных резисторов — первые два символа — значение, третий символ — множитель. Отсчет ведется слева — направо.
Формула для расчета: значение 1, значение 2 умножить на значение 3.

Пример: маркировка 753,  две первые цифры 75, третья множитель 3 (умножить на 1000).

75*1000= 75000 ом= 75 ком.

Отличный антивирус к тому же бесплатный, есть и платная версия. Лицензия выдается на один год после регистрации на сайте разработчика.

Фишинг, как вид хакерской атаки

Во всемирной паутине хватает мошенников и мошенничества. Один из самых старых и хорошо продуманных видов мошенничества — это фишинг. Цель его заключается в завладении Вашей учётной записью. В результате злоумышленник похищает Вашу социальную и контактную информацию. В итоге он может управлять Вашим аккаунтом, чтобы передавать информацию от Вашего имени. Это может рассорить Вас с друзьями, которым вы якобы нагрубили или же от вашего имени пригласить на платный сайт. А ведь нередко люди хранят на своей страничке номера счетов, номер пластиковой карты, свои пин-коды. И потеря контроля над аккаунтом, может привести к потере некоторой суммы денег.

Как же именно этот происходит? Подлог имеет простую схему. На электронную почту потенциальной жертвы приходит сообщение с предложением дружбы, предложением скачать интересную игру, посмотреть новый видеоролик или послушать музыку. При этом, замаскированная ссылка, указывающая на местоположение ресурса, ведёт к копии страницы, какой-нибудь социальной сети. Всё это проделывается так искусно, что человек и сам не догадывается об обмане и сам передаёт в руки злоумышленников всю нужную им информацию.

Фишинг — это название имеет производную от двух английских слов: пароль и рыбная ловля. В буквальном смысле оно означает охота за паролями.

Вот один из простых примеров фишинга. На Ваш электронный адрес пришло письмо от службы безопасности сервиса онлайн платежей. В нём говориться, что на сайт была предпринята попытка хакерской атаки и просят, для надёжности сменить пароль. В письме предоставлена ссылка. Но пользователь, перешедший по этой ссылке, попадает на сайт – клон оригинала. И этот клон находиться под управлением мошенников. И человек сам, не подозревая отдаёт в руки злоумышленников логин и пароль от своей страницы. Чем это заканчивается, известно всем.

Как же не попасть на крючок к мошенникам? Не переходите по ссылкам указанным в таком письме. Если возникли подозрения, лучше набрать название сайта в браузере вручную. Не звоните по контактным номерам из таких писем. Вероятней всего они липовые, и звонки на эти номера могут стоить очень дорого. Внимательно перечитывайте письмо, в фишинговом обязательно будут ошибки и опечатки.

Будьте бдительны. И тогда Вам не грозит попасться на удочку мошенников, и понести какие либо финансовые потери.

Чип-конденсаторы

Технические характеристики:
Диапазон значений емкости: 0.5пф — 10 мкф
Группы ТКЕ: X7R, NPO, Y5V, Z5U
Диапазон рабочих температур: NPO, X7R -55….+125 С
Y5V -25….+85 C
Z5U -10….+85 C

Электрические параметры чип-конденсаторов с привязкой к размерам

Габаритные размеры                                                  Диапазон значений емкости

* — mF

Чип резисторы

Технические характеристики:
Диапазон значений сопротивления: 0 Ом — 10 Мом
Точность: 0.5%, 1%, 2%,5%
Классы ТКС: +/- 100 x 10^-6/C, +/- 200×10^-6/C
Диапазон рабочих температур: -55….+125 С

Маркировка smd резисторов

Таблицы размещенные на сайте предназначены, в основном , для разработчиков электронной аппаратуры, инженеров — конструкторов РЭА, разработчиков ПП. Так же могут быть использованы как пособие по элементной базе при производстве ремонтов различной бытовой и промышленной электроники.

Как искать нужный элемент

Прежде всего можно воспользоваться поиском по сайту, но в силу того, что страница которую Вы ищите, может быть непроиндексирована, поиск не даст результатов, со временем эта проблема решится. Далее следует использовать навигацию по сайту, достаточно простую. В горизонтальном меню сайта есть ссылка SMD, на нее и следует нажать. Попадаем на страницу 0 таблицы, далее по алфавиту выбираем нужную букву или цифру, почти каждая страница таблицы содержит подкаталог, переход на другие страницы осуществляется по ссылкам в правом, верхнем углу таблицы. Например: страница code smd 0 содержит подкаталоги 0-0, 0-1

Так как несколько разных элементов могут содержать одну и ту же маркировку, попробуйте найти нужный элемент по типу корпуса или размеру, а так же сравнить аналоги корпусов, в 90 процентов случаях это работает. Следует помнить! Первая маленькая буква обозначает производителя, а не тип элемента. Ссылки «Расположение и назначение выводов», «Аналоги корпусов», «Типоразмеры SMD корпусов», откроются в новом окне. Данная таблица не является справочником по электронным компонентам, а служит для расшифровки маркировки SMD компонентов. В связи с бурным ростом электронной промышленности, появляются новые компоненты, которые по мере возможности будут размещаться в конце каждого раздела. Доступ к таблице можно получить с мобильного телефона.

Сокращения принятые в таблице:
ПТ . полевой транзистор
МТУ малый ток утечки
ТРАН, ТР,ТРАНЗ . транзистор
АН. аналог
КАНАЛЬН. канальный
ЗАТВ. затвор
ИЗ. изолированный

Маркировка резисторов полосками